FDB12N50TM, Транзистор: N-MOSFET

Фото 1/2 FDB12N50TM, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 120 ֏
от 10 шт.1 460 ֏
от 30 шт.1 240 ֏
от 100 шт.1 060 ֏
1 шт. на сумму 2 120 ֏
Номенклатурный номер: 8017549874

Описание

Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Brand: onsemi/Fairchild
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 800
Fall Time: 35 ns
Id - Continuous Drain Current: 11.5 A
Manufacturer: onsemi
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-263-2
Pd - Power Dissipation: 165 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 30 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 550 mOhms
Rise Time: 60 ns
Series: FDB12N50TM
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 45 ns
Typical Turn-On Delay Time: 25 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 500 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Вес, г 1.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 841 КБ
FDB12N50TM
pdf, 846 КБ