FDB12N50TM, Транзистор: N-MOSFET
![Фото 1/2 FDB12N50TM, Транзистор: N-MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/466/DOC029466455.jpg)
2 120 ֏
от 10 шт. —
1 460 ֏
от 30 шт. —
1 240 ֏
от 100 шт. —
1 060 ֏
1 шт.
на сумму 2 120 ֏
Описание
Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
Fall Time: | 35 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 11.5 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-263-2 |
Pd - Power Dissipation: | 165 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 30 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 550 mOhms |
Rise Time: | 60 ns |
Series: | FDB12N50TM |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 1.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 841 КБ
FDB12N50TM
pdf, 846 КБ