FDMS004N08C, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 560 ֏
от 10 шт. —
1 850 ֏
от 30 шт. —
1 590 ֏
1 шт.
на сумму 2 560 ֏
Описание
80V 126A 125W 4mΩ@44A,10V 4V@250uA null PQFN-8(5x6) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 126A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4mΩ@44A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.25nF@40V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 125W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 55nC@10V |
| Type | null |
| Assembly | SMD |
| drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=10V | 4 mΩ |
| Enclosure | SO-8-FL/Power56 |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.5x10<sup>-8</sup> C |
| Max. current | 126 A |
| max. operating temperature | 150 °C |
| max. Voltage | 80 V |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Power loss | 125 W |
| Version | N channel |
| Вес, г | 0.1 |