2N7000BU, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
251 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
190 ֏
5 шт.
на сумму 1 255 ֏
Посмотреть аналоги3
Описание
МОП-транзистор 60V N-Channel Sm Sig
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 10 ns |
Время спада | 10 ns |
Высота | 5.33 mm |
Длина | 5.2 mm |
Другие названия товара № | 2N7000BU_NL |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.1 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Серия | 2N7000 |
Технология | Si |
Тип | MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 10 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-92-3 |
Ширина | 4.19 mm |
Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 10 ns |
Forward Transconductance - Min | 0.1 S |
Height | 5.33 mm |
Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
Length | 5.2 mm |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-92-3 |
Packaging | Bulk |
Part # Aliases | 2N7000BU_NL |
Pd - Power Dissipation | 400 mW |
Product | MOSFET Small Signal |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.2 Ohms |
Rise Time | 10 ns |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 10 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
Unit Weight | 0.006314 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Width | 4.19 mm |
Вес, г | 1 |