DMTH8012LPSQ-13, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
970 ֏
от 10 шт. —
620 ֏
от 30 шт. —
484 ֏
от 100 шт. —
406 ֏
1 шт.
на сумму 970 ֏
Описание
80V 17mΩ@12A,10V 3V@250uA null TDFN-8-Power MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 10A;72A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 17mΩ@12A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.051nF@40V |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.6W;136W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 46.8nC@10V |
| Type | null |
| Вес, г | 0.27 |