RS1L151ATTB1, Транзистор: P-MOSFET

RS1L151ATTB1, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2494 шт., срок 5-6 недель
3 520 ֏
от 10 шт.2 420 ֏
от 30 шт.2 120 ֏
от 100 шт.1 880 ֏
1 шт. на сумму 3 520 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8017583275
Бренд: Rohm

Описание

RS1L151AT P-Channel -60V -56A Power MOSFET

ROHM Semiconductor RS1L151AT P-Channel -60V -56A Power MOSFET is a low on-resistance device housed in a small surface-mount package (HSOP8). The RS1L151AT features Pb-free plating and is RoHS compliant.

Технические параметры

Brand: ROHM Semiconductor
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 220 ns
Id - Continuous Drain Current: 56 A
Manufacturer: ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: HSOP-8
Packaging: Reel, Cut Tape
Part # Aliases: RS1L151AT
Pd - Power Dissipation: 40 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 130 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 11.3 mOhms
Rise Time: 70 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time: 350 ns
Typical Turn-On Delay Time: 22 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V
Вес, г 0.12

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 25 августа1 бесплатно
HayPost 28 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг