DGTD65T15H2TF, Транзистор IGBT, 650В, 15А, 24Вт, ITO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 850 ֏
от 10 шт. —
1 280 ֏
от 30 шт. —
1 100 ֏
от 100 шт. —
940 ֏
1 шт.
на сумму 1 850 ֏
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 30 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-100 nA |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | ITO-220AB-3 |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 48 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| REACH - SVHC: | Details |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 1.68 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1772 КБ