DMP1009UFDF-7, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
308 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
198 ֏
от 150 шт. —
172 ֏
от 500 шт. —
141 ֏
5 шт.
на сумму 1 540 ֏
Описание
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
Maximum Drain Source Resistance | 30 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±8 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | U-DFN2020 |
Pin Count | 6 |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 44 nC @ 8V |
Width | 2.05mm |
Drain Source On State Resistance | 0.0083Ом |
Power Dissipation | 2Вт |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 12В |
Непрерывный Ток Стока | 11А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0083Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | U-DFN2020 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 493 КБ
Datasheet DMP1009UFDF-7
pdf, 389 КБ