DMP2045UFY4-7, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
264 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
154 ֏
от 150 шт. —
137 ֏
от 500 шт. —
119 ֏
5 шт.
на сумму 1 320 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.7 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 160 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.49 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | X2-DFN2015 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.8 nC @ 4.5V |
| Width | 1.57mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 9.6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.7 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | X2-DFN2015-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.49 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.8 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms |
| Rise Time: | 3.4 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22.7 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.2 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 1 |