IXYH30N170C, Транзистор IGBT, XPT™, 1,7кВ, 30А, 937Вт, TO247-3
![Фото 1/2 IXYH30N170C, Транзистор IGBT, XPT™, 1,7кВ, 30А, 937Вт, TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/369/DOC043369832.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/256/DOC044256002.jpg)
18 700 ֏
1 шт.
на сумму 18 700 ֏
Описание
IXYS XPT (eXtreme-light Punch Through) IGBTs with current ratings ranging from 29A to 178A, are well-suited for high-voltage, high-speed power conversion applications.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1700 V |
Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 937 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO247AD |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 6.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXYH30N170CV1
pdf, 197 КБ