UMH9NFHATN, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3680 шт., срок 5-6 недель
106 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
71 ֏
от 150 шт. —
53 ֏
от 500 шт. —
44 ֏
5 шт.
на сумму 530 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
68@5mA,5V 2 NPN - Pre-Biased 150mW 100mA 50V 500nA SOT-363 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@250uA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 68@5mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transistor Type | 2 NPN-Pre-Biased |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 68 |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Frequency: | 250 MHz |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Output Voltage: | 100 mV |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Part # Aliases: | UMH9NFHA |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Product Category: | Digital Transistors |
| Product Type: | Digital Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Typical Input Resistor: | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 4.7 |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1127 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг