DMC4040SSD-13, Транзистор N/P-МОП, полевой, -40/40В, -7,5/7,3А, 1,8Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
от 10 шт. —
348 ֏
от 30 шт. —
304 ֏
от 100 шт. —
267 ֏
1 шт.
на сумму 580 ֏
Описание
Описание Транзистор полевой DMC4040SSD-13 от компании DIODES INCORPORATED сочетает в себе высокую производительность и надежность. Устройство выполнено в удобном для монтажа SMD корпусе типа SO8, что обеспечивает его простую интеграцию в различные электронные схемы. Ток стока достигает 7,5 А, а напряжение сток-исток составляет 40 В, что позволяет использовать транзистор в мощных применениях. Мощность устройства равна 1,8 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,04 Ом, обеспечивает эффективную работу и минимизацию потерь. Вид N+P-MOSFET говорит о комбинированной структуре, что делает этот транзистор универсальным решением для разнообразных задач. Код товара DMC4040SSD13 гарантирует легкость в поиске и заказе компонента в нашем интернет-магазине. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N+P-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 7.5 |
| Напряжение сток-исток, В | 40 |
| Мощность, Вт | 1.8 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.04 |
| Корпус | SO8 |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N|P |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.8 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 25@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2140 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | NRND |
| PCB changed | 8 |
| Pin Count | 8 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SO |
| Supplier Package | SO |
| Typical Fall Time (ns) | 5.3@Q 1|30.9@Q 2 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 37.6@Q 1|33.7@Q 2 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 16@4.5V|37.6@10V@Q 1|14@4.5V|33.7@10V@Q 2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1790@20V@Q 1|1643@20V@Q 2 |
| Typical Rise Time (ns) | 15.1@Q 1|14.7@Q 2 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 24.3@Q 1|53.7@Q 2 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.1@Q 1|6.9@Q 2 |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 5.3 ns, 30.9 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 12.6 S, 16.6 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.5 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.8 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Qg - Gate Charge: | 37.6 nC, 33.7 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms, 25 mOhms |
| Rise Time: | 15.1 ns, 14.7 ns |
| Series: | DMC4040 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24.3 ns, 53.7 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.1 ns, 6.9 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.7 A, 7.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ, 45 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2.14 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOIC |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 33.7 nC @ 10 V, 37.6 nC @ 10 V |
| Width | 3.95mm |
| Вес, г | 0.12 |