FDMC2523P, Транзистор P-MOSFET, полевой, -150В, -1,8А, 42Вт, MLP8, QFET®
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
880 ֏
от 10 шт. —
530 ֏
от 30 шт. —
436 ֏
от 100 шт. —
364 ֏
1 шт.
на сумму 880 ֏
Описание
Power-33-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.6 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 42 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | MLP8 |
| Pin Count | 8 |
| Series | QFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
| Width | 3mm |
| Вес, г | 0.07 |