IXFB132N50P3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 132А, 1890Вт, PLUS264, 250нс
![Фото 1/3 IXFB132N50P3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 132А, 1890Вт, PLUS264, 250нс](https://static.chipdip.ru/lib/880/DOC043880152.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC023458526.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/911/DOC029911116.jpg)
18 700 ֏
1 шт.
на сумму 18 700 ֏
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 132А, 1890Вт, PLUS264, 250нс Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 132 A |
Maximum Drain Source Resistance | 39 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.89 kW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | PLUS264 |
Pin Count | 3 |
Series | HiperFET, Polar3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
Width | 5.31mm |
Вес, г | 10.24 |