DMP1045UFY4-7, Транзистор: P-MOSFET

DMP1045UFY4-7, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
339 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.220 ֏
5 шт. на сумму 1 695 ֏
Номенклатурный номер: 8021948955
Бренд: DIODES INC.

Описание

Полевые МОП-транзисторы

Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 75 ns
Id - Continuous Drain Current: 5.5 A
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: X2-DFN2015-3
Pd - Power Dissipation: 1.7 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 14.7 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 32 mOhms
Rise Time: 22 ns
Series: DMP10
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 74 ns
Typical Turn-On Delay Time: 14 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 12 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -8 V, +8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet DMP1045UFY4-7
pdf, 189 КБ