FDC634P, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -3,5А, 1,6Вт, SuperSOT-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
710 ֏
от 10 шт. —
401 ֏
от 30 шт. —
326 ֏
от 100 шт. —
264 ֏
1 шт.
на сумму 710 ֏
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -3,5А, 1,6Вт, SuperSOT-6 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 3.5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@3.5A, 4.5V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 779pF@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.6W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10nC@4.5V |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
onsemi FDC634P
pdf, 250 КБ