BCP55, TRANS NPN 60V 1.5A SOT223-4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
225 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
194 ֏
от 500 шт. —
163 ֏
10 шт.
на сумму 2 250 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SOT-223 NPN GP AMP
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.6 mm |
Длина | 6.5 mm |
Другие названия товара № | BCP55_NL |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 1.5 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Серия | BCP55 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.56 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
Maximum DC Collector Current | 1.5 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
Minimum DC Current Gain | 40 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-223 |
Pin Count | 3+Tab |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 1 |