RGS80TS65DHRC11, Транзистор: IGBT
Описание
272W 73A 650V FS(Field Stop) TO-247N IGBTs ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 73A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 103ns |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2.1V@15V, 40A |
| Operating Temperature | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 272W |
| Pulsed Collector Current (Icm) | 120A |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 48nC |
| Turn?off Delay Time (Td(off)) | 112ns |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 1.03mJ |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 37ns |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 1.05mJ |
| Type | FS(Field Stop) |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 722 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг