RQ5H020SPTL, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
940 шт., срок 5-6 недель
256 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
146 ֏
от 150 шт. —
124 ֏
от 500 шт. —
104 ֏
5 шт.
на сумму 1 280 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Silicon Power MOSFETs
ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.
ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.
Технические параметры
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.13Ом |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 45В |
| Непрерывный Ток Стока | 2А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.13Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-346T |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-346-3 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Part # Aliases: | RQ5H020SP |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 280 mOhms |
| Rise Time: | 10 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Type: | Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 45 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 280 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 45 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TSMT-3 |
| Pin Count | 3 |
| Series | RQ5H020SP |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 9.5 nC @ 10 V |
| Width | 1.8mm |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet RQ5H020SPTL
pdf, 811 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг