DMN4040SK3-13, Транзистор: N-MOSFET
![DMN4040SK3-13, Транзистор: N-MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514246.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
436 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
282 ֏
от 150 шт. —
247 ֏
от 500 шт. —
203 ֏
5 шт.
на сумму 2 180 ֏
Описание
МОП-транзистор 40V N-Ch Enh Mode 30mOhm 10V 13.8A
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
Pd - рассеивание мощности | 8.9 W |
Qg - заряд затвора | 18.6 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 30 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 9.7 ns |
Время спада | 3.1 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | DMN4040 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 19.8 ns |
Типичное время задержки при включении | 6.4 ns |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet DMN4040SK3-13
pdf, 227 КБ