2N5401-AT/P
1380 шт., срок 8-10 недель
45 ֏
Мин. кол-во для заказа 40 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
36 ֏
от 300 шт. —
30 ֏
Добавить в корзину 40 шт.
на сумму 1 800 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8022916341
Бренд: Korea Electronics
Описание
150V 625mW 60@10mA,5V 600mA TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 150V |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Transistor Type | PNP |
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 150V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 60@10mA, 5V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 625mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Техническая документация
Datasheet 2N5401-AT/P
pdf, 355 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг