BSS123LT1G, Транзистор полевой,МОП n-канальный, 100В, 170мА, 3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
80 ֏
Кратность заказа 100 шт.
от 500 шт. —
62 ֏
от 3000 шт. —
49 ֏
от 6000 шт. —
41 ֏
100 шт.
на сумму 8 000 ֏
Посмотреть аналоги5
Описание
Описание Транзистор полевой,МОП n-канальный, 100В, 170мА, 3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 170 мА |
Тип корпуса | SOT-23 |
Максимальное рассеяние мощности | 225 мВт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 1.3мм |
Высота | 0.94мм |
Размеры | 2.9 x 1.3 x 0.94мм |
Материал транзистора | SI |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 2.9мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 20 ns |
Производитель | ON Semiconductor |
Типичное время задержки выключения | 40 нс |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.8V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 6 Ω |
Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 20 пФ при 25 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.17 |
Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.3 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6000@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 50 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.6 |
Maximum IDSS (uA) | 15 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 225 |
Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) | 0.225 |
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 0.68 |
Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 1.6 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-23 |
Typical Gate Plateau Voltage (V) | 3.2 |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 20@25V |
Typical Output Capacitance (pF) | 9 |
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 4@25V |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 40 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20 |
Maximum Continuous Drain Current | 170 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 6 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 225 mW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-23 |
Transistor Material | Si |
Width | 1.3mm |
Вид | MOSFET |
Тип | полевой |
Вес, г | 0.02 |