2N6488G, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 15А, 75Вт, TO220
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 060 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт. —
840 ֏
от 300 шт. —
680 ֏
от 500 шт. —
620 ֏
50 шт.
на сумму 53 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор NPN, биполярный, 80В, 15А, 75Вт, TO220 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 75 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.75 mm |
| Длина | 10.53 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 15 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 90 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 15 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 5 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | 2N6488 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | 90 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Maximum DC Collector Current | 15 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 5 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.8 W |
| Minimum DC Current Gain | 20 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Category | Bipolar Power |
| Configuration | Common Base |
| Dimensions | 10.28x4.82x15.75 mm |
| Height | 15.75 mm |
| Length | 10.28 mm |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 3.5 V |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Operating Temperature Range | -65 to+150 °C |
| Transistor Material | Si |
| Width | 4.82 mm |
| Вес, г | 2.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 96 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Документация
pdf, 238 КБ
2N6487, 2N6488 (NPN), 2N6490, 2N6491 (PNP)
pdf, 38 КБ
2N6487, 2N6488 (NPN), 2N6490, 2N6491 (PNP)
pdf, 98 КБ