BSS64LT1G, Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 0,1А, 225мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
71 ֏
Кратность заказа 100 шт.
от 500 шт. —
49 ֏
от 3000 шт. —
37 ֏
от 6000 шт. —
33 ֏
100 шт.
на сумму 7 100 ֏
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 0,1А, 225мВт, SOT23 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.94 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 60 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BSS64L |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Brand | ON Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 120 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.2 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 0.1 A |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 20 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 60 MHz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 0.1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 225 W |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | BSS64L |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet BSS64LT1G
pdf, 66 КБ
Datasheet BSS64LT1G
pdf, 66 КБ