Главная › Каталог брендов › Infineon › Позиции на заказ › IRLML0060TRPBF, Транзистор, N-канал 60В 2.7А ...

IRLML0060TRPBF, Транзистор, N-канал 60В 2.7А [мicОмo3 / SOT-23]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

247 ֏

Кратность заказа 100 шт.

от 500 шт. — 174 ֏

от 3000 шт. — 133 ֏

от 6000 шт. — 119 ֏

Добавить в корзину 100 шт. на сумму 24 700 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8023130075

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Описание Транзистор, N-канал 60В 2.7А [мicОмo3 / SOT-23]

Технические параметры

Крутизна характеристики S,А/В	7.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	116
Температура, С	-55…+150
Transistor Polarity	N Channel; Continuous Drain Current Id
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	2.7 A
Maximum Drain Source Resistance	92 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-16 V, +16 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.25 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	2.5 nC @ 4.5 V
Width	1.4mm
Время	задержки включения/выключения-6, 3/4.2 нс
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Емкость, пФ	290
Заряд затвора, нКл	2.5
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток(Vgs)±16 В
Максимальное напряжение сток-исток, В	60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	2.7
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	116
Мощность	рассеиваемая(Pd)-1.25 Вт
Напряжение	пороговое затвора(Vgs th)-1 В
Описание	MOSFET MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
Способ монтажа	поверхностный(SMT)
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
Транспортная упаковка: размер/кол-во	574648/9000
Упаковка	REEL, 3000 шт.
Вес, г	0.03