KIA50N06BD

1735 шт., срок 8-10 недель
125 ֏
Мин. кол-во для заказа 13 шт.
от 30 шт.120 ֏
от 100 шт.112 ֏
от 500 шт.97 ֏
13 шт. на сумму 1 625 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8023172407
Бренд: KIA Semicon Tech

Описание

60V 50A 12.5mΩ@10V,30A 88W 4V@250uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 50A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 88W
Rds On - Drain-Source Resistance 12.5mО© @ 30A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Vgs - Gate-Source Voltage 4V @ 250uA
Continuous Drain Current (Id) 50A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 12.5mΩ@10V, 30A
Drain Source Voltage (Vdss) 60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
Power Dissipation (Pd) 88W
Type N Channel

Техническая документация

Datasheet KIA50N06BD
pdf, 394 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 4 сентября1 бесплатно
HayPost 8 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг