DMT6012LSS-13, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
348 ֏
1 шт.
на сумму 348 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы DMTx
Diodes Incorporated МОП-транзисторы DMTx представляют собой N-канальные полевые МОП-транзисторы с низким сопротивлением в открытом состоянии и быстрым переключением. Эти полевые МОП-транзисторы также разработаны с учетом строгих требований автомобильных приложений. Diodes Incorporated DMTx MOSFET идеально подходят для высокоэффективных приложений управления питанием.
Diodes Incorporated МОП-транзисторы DMTx представляют собой N-канальные полевые МОП-транзисторы с низким сопротивлением в открытом состоянии и быстрым переключением. Эти полевые МОП-транзисторы также разработаны с учетом строгих требований автомобильных приложений. Diodes Incorporated DMTx MOSFET идеально подходят для высокоэффективных приложений управления питанием.
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 12.5 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 10.4 A |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOIC-8 |
Pd - Power Dissipation: | 13.4 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 22.2 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 11 mOhms |
Rise Time: | 6.7 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 25.5 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 4.4 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 380 КБ