IXFH10N80P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 10А, 300Вт, TO247-3
![Фото 1/3 IXFH10N80P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 10А, 300Вт, TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758074.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171488.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/847/DOC004847084.jpg)
3 830 ֏
от 10 шт. —
2 950 ֏
1 шт.
на сумму 3 830 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 10А, 300Вт, TO247-3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 1.1Ом |
Power Dissipation | 300Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | Polar HiPerFET |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
Непрерывный Ток Стока | 10А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 5.5В |
Рассеиваемая Мощность | 300Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.1Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 348 КБ