FDMS0312AS, Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin PQFN EP T/R
![Фото 1/2 FDMS0312AS, Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin PQFN EP T/R](https://static.chipdip.ru/lib/690/DOC013690971.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/572/DOC006572379.jpg)
247 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
238 ֏
от 9000 шт. —
220 ֏
3000 шт.
на сумму 741 000 ֏
Описание
МОП-транзистор PT8 N 30/20 SYNCFET
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
Qg - заряд затвора | 23 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.2 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 2.3 ns |
Время спада | 6 ns |
Высота | 1.1 mm |
Длина | 6 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Коммерческое обозначение | PowerTrench SyncFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 92 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | FDMS0312AS |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 25 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | Power-56-8 |
Ширина | 5 mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 508 КБ
Datasheet FDMS0312AS
pdf, 415 КБ