FDG315N, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 2А, 750мВт, SC70-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
710 ֏
от 10 шт. —
427 ֏
от 30 шт. —
352 ֏
от 100 шт. —
293 ֏
1 шт.
на сумму 710 ֏
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 2А, 750мВт, SC70-6
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 120mΩ@2A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 220pF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 750mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4nC@5V |
| Type | null |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
onsemi FDG315N
pdf, 81 КБ