FDT1600N10ALZ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 540 ֏
от 2 шт. —
1 280 ֏
от 10 шт. —
1 060 ֏
1 шт.
на сумму 1 540 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, SOT-223-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.6A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.121ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.8
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.6A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.77nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 50V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 10.42W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Series | PowerTrenchВ® |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250ВµA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.121Ом |
| Power Dissipation | 10.42Вт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 5.6А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.8В |
| Рассеиваемая Мощность | 10.42Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.121Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 375 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 10.42 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.4V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.9 nC @ 10 V |
| Width | 3.7mm |