2N7002H-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,21А, 0,37Вт, SOT23
![Фото 1/2 2N7002H-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,21А, 0,37Вт, SOT23](https://static.chipdip.ru/lib/736/DOC043736543.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/161/DOC004161369.jpg)
62 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
40 ֏
от 300 шт. —
30 ֏
от 3000 шт. —
24 ֏
10 шт.
на сумму 620 ֏
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,21А, 0,37Вт, SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.17 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7500@5V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
Maximum IDSS (uA) | 1 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 510 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-23 |
Supplier Temperature Grade | Automotive |
Typical Fall Time (ns) | 4.7 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 352 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 352@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 26@25V |
Typical Rise Time (ns) | 2.9 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 8.4 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3.7 |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 435 КБ