2N7002H-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,21А, 0,37Вт, SOT23

Фото 1/2 2N7002H-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,21А, 0,37Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
62 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.40 ֏
от 300 шт.30 ֏
от 3000 шт.24 ֏
10 шт. на сумму 620 ֏
Номенклатурный номер: 8023356907
Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,21А, 0,37Вт, SOT23 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A) 0.17
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 7500@5V
Maximum Drain Source Voltage (V) 60
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 3
Maximum IDSS (uA) 1
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 510
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-23
Supplier Temperature Grade Automotive
Typical Fall Time (ns) 4.7
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 352
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 352@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 26@25V
Typical Rise Time (ns) 2.9
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 8.4
Typical Turn-On Delay Time (ns) 3.7
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet
pdf, 435 КБ