SP8K31HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 5-6 недель
1 680 ֏
от 10 шт. —
1 190 ֏
от 30 шт. —
1 080 ֏
1 шт.
на сумму 1 680 ֏
Альтернативные предложения2
Технические параметры
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 3.5А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.085Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOP |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet SP8K31HZGTB
pdf, 2697 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг