DMN2990UDJ-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 0,3А, 0,35Вт, SOT963
![DMN2990UDJ-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 0,3А, 0,35Вт, SOT963](https://static.chipdip.ru/lib/098/DOC027098739.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
212 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
128 ֏
от 150 шт. —
106 ֏
от 500 шт. —
86 ֏
5 шт.
на сумму 1 060 ֏
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
Fall Time: | 6.4 ns |
Forward Transconductance - Min: | 180 mS |
Id - Continuous Drain Current: | 450 mA |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package / Case: | SOT-963-6 |
Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 500 pC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 990 mOhms |
Rise Time: | 3.3 ns |
Series: | DMN2990 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 2 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
Brand | Diodes Incorporated |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Dual |
Factory Pack Quantity | 10000 |
Fall Time | 6.4 ns |
Forward Transconductance - Min | 180 mS |
Id - Continuous Drain Current | 450 mA |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 2 Channel |
Package / Case | SOT-963-6 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 350 mW |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 0.5 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 990 mOhms |
Rise Time | 3.3 ns |
RoHS | Details |
Series | DMN2990 |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 2 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 4 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 386 КБ