2SA2125-TD-E, 50V 1.3W 200@100mA,2V 3A PNP SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT

2SA2125-TD-E, 50V 1.3W 200@100mA,2V 3A PNP SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
750 ֏
от 10 шт.484 ֏
1 шт. на сумму 750 ֏
Номенклатурный номер: 8023469115

Описание

Биполярные транзисторы - BJT DC-DC CONVERTER

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 3.5 W
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 560
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 6 A
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 125 mV, - 250 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 3 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 390 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия 2SA2125
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-89-3
Brand ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO -50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max -50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage -125 mV, -250 mV
Configuration Single
Continuous Collector Current -3 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 200
DC Current Gain hFE Max 560
Emitter- Base Voltage VEBO -6 V
Factory Pack Quantity 1000
Gain Bandwidth Product fT 390 MHz
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current -6 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-89-3
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 3.5 W
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series 2SA2125
Transistor Polarity PNP
Вес, г 0.16

Техническая документация

Datasheet
pdf, 327 КБ