2SA2125-TD-E, 50V 1.3W 200@100mA,2V 3A PNP SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 ֏
от 10 шт. —
484 ֏
1 шт.
на сумму 750 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT DC-DC CONVERTER
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 3.5 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 125 mV, - 250 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 390 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | 2SA2125 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | -50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -50 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | -125 mV, -250 mV |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | -3 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 200 |
DC Current Gain hFE Max | 560 |
Emitter- Base Voltage VEBO | -6 V |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Gain Bandwidth Product fT | 390 MHz |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | -6 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-89-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 3.5 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | 2SA2125 |
Transistor Polarity | PNP |
Вес, г | 0.16 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 327 КБ