2DB1184Q-13, 50V 15W 120@500mA,3V 3A PNP TO-252-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
379 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
242 ֏
от 150 шт. —
212 ֏
от 500 шт. —
174 ֏
5 шт.
на сумму 1 895 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 2.5K BIPOLAR
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 15000 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 2.4 mm (Max) |
| Длина | 6.8 mm (Max) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 120 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 110 MHz |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | 2DB11 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Ширина | 6.2 mm (Max) |
| Вес, г | 0.36 |
Техническая документация
2DB1184
pdf, 338 КБ