2DB1386R-13, 20V 1W 180@500mA,2V 5A PNP SOT-89 BIpolar TransIstors - BJT
![2DB1386R-13, 20V 1W 180@500mA,2V 5A PNP SOT-89 BIpolar TransIstors - BJT](https://static.chipdip.ru/lib/519/DOC006519977.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
159 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
115 ֏
5 шт.
на сумму 795 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 2.5K BIPOLAR
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.5 mm |
Длина | 4.5 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 180 at 500 mA, 2 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 180 at 0.5 A at 2 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Производитель | Diodes Incorporated |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | 2DB13 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Ширина | 2.48 mm |
Вес, г | 0.1305 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 272 КБ