2DC2412R-7, SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
53 ֏
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 530 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 50V NPN SMT
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 3 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 180 at 1 mA at 6 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 180 at 1 mA at 6 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.15 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2DC24 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet 2DC2412R-7
pdf, 189 КБ