2DA1774QLP-7B, DFN-3(1x0.6) BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

97 ֏

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 80 ֏

от 150 шт. — 62 ֏

5 шт. на сумму 485 ֏

Номенклатурный номер: 8023470049

Бренд: DIODES INC.

Биполярные транзисторы - BJT SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K

Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	10000
Серия	2DA17
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	DFN1006-3
Вес, г	0.02

pdf, 316 КБ