BC846BPDW1T1G, NPN PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
49 ֏
Мин. кол-во для заказа 19 шт.
от 100 шт. —
44 ֏
от 1000 шт. —
37 ֏
19 шт.
на сумму 931 ֏
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги10
Описание
Описание Транзистор NPN / PNP, биполярный, кОмплементарная пара, 65В
Технические параметры
Brand: | onsemi |
Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 65 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 600 mV, 650 mV |
Configuration: | Dual |
Continuous Collector Current: | 0.1 A |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 150 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | SC-70-6 |
Pd - Power Dissipation: | 380 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | BC846BPDW1 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN, PNP |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 136 КБ