FDD3N50NZTM, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 2,5А, 40Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
970 ֏
1 шт.
на сумму 970 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 2,5А, 40Вт, DPAK Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 2.5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5Ω@1.25A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 280pF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 40W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 8nC@10V |
| Type | null |
| Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
onsemi FDD3N50NZTM
pdf, 714 КБ