VT6M1T2CR, MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4969 шт., срок 8-10 недель
62 ֏
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
от 100 шт. —
58 ֏
от 500 шт. —
53 ֏
от 1000 шт. —
48 ֏
15 шт.
на сумму 930 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
MOSFET, N& P-CH, 20V, VMT6; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:100mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):2.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd:150mW; Transistor Case Style:VMT; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки: | 100 mA |
| Pd - рассеивание мощности: | 150 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 3.5 Ohms, 3.8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 300 mV |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время нарастания: | 4 ns, 62 ns |
| Время спада: | 38 ns, 137 ns |
| Другие названия товара №: | VT6M1 |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 2 Channel |
| Конфигурация: | Dual |
| Максимальная рабочая температура: | +150 C |
| Минимальная рабочая температура: | -55 C |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Полярность транзистора: | N-Channel, P-Channel |
| Производитель: | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки: | 8000 |
| Серия: | VT6M1 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET |
| Типичное время задержки выключения: | 20 ns, 325 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 5 ns, 46 ns |
| Торговая марка: | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок: | VMT-6 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 18 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, -8 V, +10 V, +8 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | VMT |
| Pin Count | 6 |
| Series | VT6M1 |
| Transistor Configuration | Dual Base |
| Width | 1.02mm |
| Transistor Polarity | N and P Channel; Continuous Drain Current Id |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 3734 КБ
Datasheet VT6M1T2CR
pdf, 2506 КБ
Документация
pdf, 2098 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 0 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг