2SK3019TL, MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
733 шт., срок 8-10 недель
40 ֏
Мин. кол-во для заказа 22 шт.
от 500 шт. —
34 ֏
22 шт.
на сумму 880 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 0.1А [SOT-416]
Технические параметры
Base Product Number | 2SK3019 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100mA (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 5V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SC-75, SOT-416 |
Power Dissipation (Max) | 150mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 10mA, 4V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | EMT3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100ВµA |
Brand | ROHM Semiconductor |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 80 ns |
Id - Continuous Drain Current | 100 mA |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number Of Channels | 1 Channel |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Part # Aliases | 2SK3019 |
Pd - Power Dissipation | 150 mW |
Product | MOSFET Small Signal |
Product Category | MOSFET |
Product Type | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 8 Ohms |
Rise Time | 35 ns |
Series | 2SK3019 |
Subcategory | MOSFETs |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel MOSFET |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 80 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 4 V |
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
кол-во в упаковке | 3000 |
Height | 0.7 mm |
Length | 1.6 mm |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
RoHS | Details |
Width | 0.8 mm |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 100 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 8 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
Maximum Power Dissipation | 150 mW |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | EMT |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2SK3019TL
pdf, 151 КБ
Документация
pdf, 163 КБ
Datasheet 2SK3019
pdf, 104 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг