IMX8T108, TRANS 2NPN 120V 0.05A 6SMT
![IMX8T108, TRANS 2NPN 120V 0.05A 6SMT](https://static.chipdip.ru/lib/864/DOC043864377.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18000 шт., срок 8-10 недель
49 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 147 000 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор: PNP
Технические параметры
Brand | ROHM Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 120 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 120 V |
Configuration | Dual |
Continuous Collector Current | 50 mA |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 180 |
DC Current Gain HFE Max | 820 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gain Bandwidth Product FT | 140 MHz |
Height | 1.1 mm |
Length | 2.9 mm |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 0.05 A |
Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Part # Aliases | IMX8 |
Pd - Power Dissipation | 300 mW |
Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Series | IMX8 |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Width | 1.6 mm |
кол-во в упаковке | 3000 |
Collector Current (Ic) | 50mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 120V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@10mA, 1mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 180@2mA, 6V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 300mW |
Transistor Type | 2 NPN |
Transition Frequency (fT) | 140MHz |
Техническая документация
ROHM Semicon IMX8T108
pdf, 581 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг