2SK3541T2L, MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
170 шт., срок 8-10 недель
44 ֏
Мин. кол-во для заказа 19 шт.
от 100 шт. —
40 ֏
19 шт.
на сумму 836 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
N-канал 30 В 100 мА (Ta) 150 мВт (Ta) Поверхностный монтаж VMT3
Технические параметры
| Base Product Number | 2SK3541 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 5V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SOT-723 |
| Power Dissipation (Max) | 150mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 10mA, 4V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | VMT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100ВµA |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 100mA |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 150mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8О© @ 10mA,4V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.5V @ 100uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 100mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 8Ω@4V, 10mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@100uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 13pF@5V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Type | N Channel |
Техническая документация
Datasheet 2SK3541T2L
pdf, 152 КБ
Datasheet 2SK3541T2L
pdf, 82 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг