2SB1260T100R, TRANS PNP 80V 1A MPT3
15000 шт., срок 8-10 недель
124 ֏
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
119 ֏
от 100 шт. —
106 ֏
от 500 шт. —
98 ֏
7 шт.
на сумму 868 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | -1 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 82 |
| DC Current Gain hFE Max: | 390 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 361 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг