DTA114YUAT106, TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1370 шт., срок 8-10 недель
27 ֏
Мин. кол-во для заказа 35 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 150 шт. —
22 ֏
от 500 шт. —
20 ֏
35 шт.
на сумму 945 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 70мА, 200мВт, SOT323
Технические параметры
| Manufacturer | ROHM Semicon |
| Package / Case | SOT-323 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@5mA, 250uA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 68@5mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | One PNP-Pre-Biased |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Техническая документация
Datasheet DTA114YUAT106
pdf, 1781 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг