DTC043ZEBTL, TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
63000 шт., срок 8-10 недель
18 ֏
Мин. кол-во для заказа 60 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 500 шт. —
14 ֏
от 1000 шт. —
13 ֏
60 шт.
на сумму 1 080 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
80@5mA,10V 1 NPN - Pre Biased 150mW 100mA 50V SOT-416FL Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 150mW |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 80 at 5 mA at 10 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Frequency | 250 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Output Voltage | 50 mV |
| Package / Case | EMT-3F-3 |
| Packaging | Reel |
| Peak DC Collector Current | 100 mA |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| RoHS | Details |
| Series | DTC043ZEB |
| Transistor Polarity | NPN |
| Typical Input Resistor | 4.7 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 10 |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@500uA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@5mA, 10V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг