2SC5824T100R, TRANS NPN 60V 3A MPT3
365 шт., срок 8-10 недель
132 ֏
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
128 ֏
от 100 шт. —
119 ֏
7 шт.
на сумму 924 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V 3A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 4.5 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 2SC5824 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Ширина | 2.5 mm |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
| Maximum DC Collector Current | 3A |
| Pd - Power Dissipation | 2W |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Current (Ic) | 3A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@2A, 200mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 180@100mA, 2V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Transition Frequency (fT) | 200MHz |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг