UMD2NTR, TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
200 шт., срок 8-10 недель
44 ֏
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
от 100 шт. —
37 ֏
20 шт.
на сумму 880 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
56@5mA,5V 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased 150mW 100mA 50V 500nA SOT-363 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Configuration | Dual |
| Continuous Collector Current | 30 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 56 |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Height | 0.9 mm |
| Length | 2 mm |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | SOT-363-6 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Peak DC Collector Current | 100 mA |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| RoHS | Details |
| Series | UMD2N |
| Transistor Polarity | NPN, PNP |
| Typical Input Resistor | 22 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Width | 1.25 mm |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@10mA, 500uA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 56@5mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP-Pre-Biased |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1426 КБ
Документация
pdf, 1432 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг