UM6K1NTN, MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
41082 шт., срок 8-10 недель
71 ֏
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
от 100 шт. —
66 ֏
от 500 шт. —
62 ֏
от 1000 шт. —
56 ֏
12 шт.
на сумму 852 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30 В 100 мА 150 мВт для поверхностного монтажа UMT6
Технические параметры
| Base Product Number | *K1 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 5V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Power - Max | 150mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 10mA, 4V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | UMT6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100ВµA |
| Continuous Drain Current (Id) | 100mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 8Ω@4V, 10mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@100uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 13pF@5V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Type | 2 N-Channel |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 80 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Part # Aliases: | UM6K1N |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 Ohms |
| Rise Time: | 35 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel MOSFET |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
Техническая документация
Datasheet UM6K1NTN
pdf, 2441 КБ
Datasheet UM6K1NTN
pdf, 334 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг